Appelés VTFET, ces nouveaux transistors ne sont pas disposés à plat comme c’est le cas à l’heure actuelle, mais verticalement. Une conformation spatiale aux promesses folles : une hausse de la densité logique, mais aussi un doublement des performances ou une baisse de 85% de la consommation énergétique.
https://www.01net.com/actualites/ibm-et-samsung-ont-developpe-les-transistors-du-futur-2052557.html
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